台积电:3nm EUV工艺进展顺利 已开始接触早期客户

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本文来自cnBeta.COM

虽然10纳米以下芯片制造工艺的突破变得更加困难,但以台积电为代表的行业领先企业并没有放慢研发步伐。该公司上周表示,其3纳米工艺进展顺利。目前,台积电已经找到了发展之路,并已开始联系早期客户。在为投资者和金融分析师召开的电话会议上,台积电首席执行官兼联合主席CC Wei宣布了这一消息。

50fb-iafwsqp2711293.png(来自:TSMC,通过AnandTech)

他说:“我们公司在N3节点的技术开发方面取得了很大进展,并且已经就技术定义与早期客户进行了接触。我们希望3nm工艺能够进一步提升台积电未来的行业领导地位。”

由于N3技术仍处于早期开发阶段,台积电尚未讨论具体功能及其优于N5的优势。该公司表示,它已经评估了所有可能的晶体管结构选项,并没有提供非常好的解决方案。

N3规范正在开发中,台积电认为它将满足其业界领先的合作伙伴客户的要求。实际上,台积电已经确认N3将是一个全新的过程,而不是N5的简单改进或迭代。

作为公司的主要竞争对手之一,三星计划采用3nm(3GAAE)技术。同时,TSMC 3nm节点肯定会使用深紫外(DUV)和极紫外(EUV)光刻设备。

由于TSMC的N5工艺使用14层EUV,因此N3使用的层数可能更高。作为全球最大的半导体合约制造商,它似乎对EUV的进展非常满意,并认为该技术对其未来发展至关重要。